HEMT：高电子迁移率晶体管
“High Electron Mobility Transistor”经常缩写成HEMT，以便快捷书写、使用。
常见于学术科学领域 ,和电子相关。中文意思为：“高电子迁移率晶体管”。
High Electron Mobility Transistor具体释义
- 英文缩写：HEMT
- 英语全称： High Electron Mobility Transistor
- 英语发音：
- 美式英语发音：
- 英式英语发音：
- 中文意思：高电子迁移率晶体管
- 中文拼音：gāo diàn zǐ qiān yí lǜ jīng tǐ guǎn
- 常用领域：学术科学
- 相关：电子
英文缩写词HEMT的例句
- High electron mobility transistor
- 高电子迁移率晶体管(HEMT)
- Based on the charge control theory, an accurate analytical model for the dc I V characteristics and small signal parameters of an AlGaN / GaN high electron mobility transistor ( HEMT ) is developed considering the effects of polarization and parasitic source drain resistances.
- 基于电荷控制理论，考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响，建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)直流IV特性和小信号参数的解析模型。
- High electron mobility transistors ( High Electron MobilityTransistor ) as a field-effect transistor, have been widely used in communications, electronics and other fields, it has the characteristics of high-power, low-noise, high-frequency, high-speed.
- 而高电子迁移率晶体管(HEMT)（HighElectronMobilityTransistor）作为场效应晶体管中的一种，也开始广泛应用于通信、电子等领域，它具有大功率、低噪声、高频、高速等特点。
- The PHEMT ( pseudomorphic high electron mobility transistor ) device has outstanding high-frequency characteristics, power characteristics and low-noise characteristics, and it is one of the most competitions in the field of microwave and millimeter-wave monolithic integrated circuits.
- PHEMT（赝匹配型高电子迁移率管）器件具有优异的高频特性、功率特性和低噪声特性，使之成为微波/毫米波单片集成电路领域中最有竞争力的有源器件之一。
- Development of Ka-Band High Electron Mobility Transistor(HEMT)
- Ka波段高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制
注意：
英文缩写词 HEMT 的含义,不止“High Electron Mobility Transistor”一个。
“HEMT”是什么缩写的意思？
本站收集到的HEMT英文缩写还有：
【综合】领域:
- High Electron Mobility Transistors 缩写成 “HEMT”. 中文意思是：高电子迁移率晶体管