S/D：源极/漏极
“Source/Drain”经常缩写成S/D，以便快捷书写、使用。
常见于学术科学领域 ,和电子相关。中文意思为：“源极/漏极”。
Source/Drain具体释义
- 英文缩写：S/D
- 英语全称： Source/Drain
- 英语发音：
- 美式英语发音：
- 英式英语发音：
- 中文意思：源极/漏极
- 中文拼音：yuán jí lòu jí
- 常用领域：学术科学
- 相关：电子
英文缩写词S/D的例句
- Based on the charge control theory, an accurate analytical model for the dc I V characteristics and small signal parameters of an AlGaN / GaN high electron mobility transistor ( HEMT ) is developed considering the effects of polarization and parasitic source drain resistances.
- 基于电荷控制理论，考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响，建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流IV特性和小信号参数的解析模型。
- A new structure of gate_modulated lightly doped drain of TFT was proposed. It is very effective to lower gate_induced drain_leakage current of the TFTs when a higher source drain voltage is applied to it.
- 在进一步的研究中，设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区（GMLDD）结构，有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题。
- And the relationship between the source drain current and the split-gate voltage; and how to find the cut off voltage of the quasi-1D electron channel;
- 研究准一维电子通道中不同源漏电流与分裂门负偏压的关系，以找到分裂门的钳断点电压；
- From the quoted equation for the current between source and drain Ids of the sub-threshold MOSFET, the expression for the voltage between gate and source drain Vgs of the sub-threshold MOSFET is directly got and the temperature characteristic of Vgs is theoretically analyzed.
- 直接从亚阈值MOSFET漏源电流（即亚阈值电流）的方程中，得到亚阈值MOSFET栅源电压表达式，并分析其温度特性。
- Source drain Ohmic contacts and Schottky metal system is Ti / Al / Pt / Au and Pt / Au, respectively.
- 漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au，肖特基结金属为Pt/Au。
注意：
英文缩写词 S/D 的含义,不止“Source/Drain”一个。
“S/D”是什么缩写的意思？
本站收集到的S/D英文缩写还有：
【社会】领域:
- stepdaughter 缩写成 “s/d”. 中文意思是：继女